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去年三星开始提供业界首款速率为 24 Gbps 的 16Gb（2GB）GDDR6 内存模块，其基于三星 10nm 级别的 1z 工艺，采用了创新的电路设计、先进的绝缘材料（HKMG）和极紫外（EUV）技术，搭载的动态电压开关（DVS）技术可根据性能要求调整工作电压，将电源效率提高了 20%，旨在提升下一代显卡、笔记本电脑和游戏主机的图形性能，同时也可以用在基于人工智能的应用程序和高性能（HPC）系统。

根据 Hassan Mujtaba 的报告，Rambus 预计更快的 GDDR6 将会在今年年底前投入生产，速率将达到 24 Gbps。

一直以来，GDDR6X 相比 GDDR6 都有着更高的速率，美光去年已开始量产速率为 24 Gbps 的 GDDR6X，容量为 16Gb 模块。目前 GeForce RTX 4080 上采用的 GDDR6X 显存为 MT61K512M32KPA-24，额定速率本身应该是 24 Gbps，但被设定在 22.4 Gbps。

随着 GDDR6 的速率也达到 24 Gbps，AMD 可能会因此而受益，出现在 Radeon RX 7x50 系列上。不知道随着 GDDR6 速率赶上来，英伟达会不会更广泛地在产品上采用。不过美光曾表示，在 GDDR6X 中对 PAM4 信号传输技术方面的创新使其比其他 GDDR6 产品更加节能。

相比于三星和美光，SK 海力士似乎将重心放在 HBM 类存储芯片上，旗下目前仅提供速率为 20 Gbps 的 GDDR6。

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